P3004ND5G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P3004ND5G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO252-5

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P3004ND5G datasheet

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P3004ND5G

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P3004ND5G

P3004BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30m @VGS = 10V 40V 29A TO-252 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 29 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 23 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

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P3004ND5G

Otros transistores... P8010BV, P8315AD, P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, IRFP460, P3010BV, P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, P3204HV