Справочник MOSFET. P3004ND5G

 

P3004ND5G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3004ND5G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252-5
 

 Аналог (замена) для P3004ND5G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3004ND5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  unikc
 p3004nd5g.pdf pdf_icon

P3004ND5G

P3004ND5GN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel30m @VGS = 10V40V 12A N55m @VGS = -10V-40V -8.8A PTO-252- 5100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP

 9.1. Size:659K  unikc
 p3004bd.pdf pdf_icon

P3004ND5G

P3004BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30m @VGS = 10V40V 29ATO-252100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C29IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C23AIDM80Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... P8010BV , P8315AD , P8315ATF , P8315BD , P8503BMA , P8503BMG , P3003EDG , P3004BD , IRF640 , P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG , P3203EVG , P3204HV .

History: SQJ570EP | P0550ED

 

 
Back to Top

 


 
.