P3004ND5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3004ND5G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252-5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3004ND5G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3004ND5G даташит

 ..1. Size:575K  unikc
 p3004nd5g.pdf pdf_icon

P3004ND5G

 9.1. Size:659K  unikc
 p3004bd.pdf pdf_icon

P3004ND5G

P3004BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30m @VGS = 10V 40V 29A TO-252 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 29 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 23 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:574K  allpower
 ap3004s.pdf pdf_icon

P3004ND5G

Другие IGBT... P8010BV, P8315AD, P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, IRFP460, P3010BV, P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, P3204HV