IRF1010NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF1010NL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 120(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de IRF1010NL MOSFET
IRF1010NL Datasheet (PDF)
irf1010nspbf irf1010nlpbf.pdf

PD - 95103IRF1010NSPbFIRF1010NLPbFl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 11ml Lead-FreeGDescriptionID = 85AAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques t
irf1010nlpbf irf1010nspbf.pdf

PD - 95103IRF1010NSPbFIRF1010NLPbFl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 11ml Lead-FreeGDescriptionID = 85AAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques t
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PD - 94171IRF1010NSIRF1010NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 11m Fully Avalanche RatedGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromID = 85A International Rectifier utilize advanced processingStechniques to achieve extremely low
irf1010n.pdf

PD - 91278IRF1010NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 11mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 85A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan
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History: FDPF16N50 | FDPF8N60ZUT
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