PZ513BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZ513BA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Encapsulados: SOT323
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PZ513BA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PZ513BA datasheet
pz513ba.pdf
PZ513BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 115m @VGS = -4.5V -20V -1.3A SOT-323 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -1.3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1 IDM -10 Pulsed Drain
Otros transistores... PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, AO3401, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ
History: WST2088 | MSK7N80F | TSK65R190S2 | MSU2N60S | SI5515CDC | AP0904GP-HF | AP10N012P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312
