Справочник MOSFET. PZ513BA

 

PZ513BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PZ513BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для PZ513BA

 

 

PZ513BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  unikc
 pz513ba.pdf

PZ513BA PZ513BA

PZ513BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID115m @VGS = -4.5V -20V -1.3ASOT-323ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-1.3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-1IDM-10Pulsed Drain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFR180N07

 

 
Back to Top