Справочник MOSFET. PZ513BA

 

PZ513BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ513BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для PZ513BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ513BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  unikc
 pz513ba.pdf pdf_icon

PZ513BA

PZ513BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID115m @VGS = -4.5V -20V -1.3ASOT-323ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-1.3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-1IDM-10Pulsed Drain

Другие MOSFET... PZ2003EEA , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , AO3400 , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ .

History: PA710ED | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | CSD17551Q3A | P1060ETF | F12W50VX2

 

 
Back to Top

 


 
.