PZ513BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PZ513BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT323
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PZ513BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PZ513BA даташит
pz513ba.pdf
PZ513BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 115m @VGS = -4.5V -20V -1.3A SOT-323 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -1.3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1 IDM -10 Pulsed Drain
Другие IGBT... PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, AO3401, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ
History: AP02N90H | AP2035Q | PZ5203EMA | SSM6J505NU | PTF13N50 | MTB2D5N03BH8
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312

