PZ558EZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZ558EZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT363

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PZ558EZ datasheet

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PZ558EZ

PZ558EZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3 @VGS = 4V 30V 0.2A SOT-363 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 16 V TA = 25 C 0.24 ID A Continuous Drain Current1 TA = 70 C 0.17 IDM 0.7 A Pulsed Drain Current2 TA = 25 C 0.29

Otros transistores... PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, 4435, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD