PZ558EZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ558EZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ558EZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ558EZ даташит

 ..1. Size:757K  unikc
 pz558ez.pdf pdf_icon

PZ558EZ

PZ558EZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 3 @VGS = 4V 30V 0.2A SOT-363 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 16 V TA = 25 C 0.24 ID A Continuous Drain Current1 TA = 70 C 0.17 IDM 0.7 A Pulsed Drain Current2 TA = 25 C 0.29

Другие IGBT... PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, 4435, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD