PE6B0SA Todos los transistores

 

PE6B0SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE6B0SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

 Búsqueda de reemplazo de PE6B0SA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE6B0SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  unikc
 pe6b0sa.pdf pdf_icon

PE6B0SA

PE6B0SAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 38APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C38TC = 100 C24IDContinuous Drain Current3TA = 25 C15ATA= 70

 ..2. Size:452K  niko-sem
 pe6b0sa.pdf pdf_icon

PE6B0SA

PE6B0SA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5m 42A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Otros transistores... PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , AON7410 , PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV .

History: AM2329P | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | BSB024N03LXG | AP6N1R7CDT

 

 
Back to Top

 


 
.