PE6B0SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE6B0SA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE6B0SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6B0SA даташит

 ..1. Size:556K  unikc
 pe6b0sa.pdf pdf_icon

PE6B0SA

 ..2. Size:452K  niko-sem
 pe6b0sa.pdf pdf_icon

PE6B0SA

PE6B0SA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5m 42A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products

Другие IGBT... PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, SPP20N60C3, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV