PJ614DA Todos los transistores

 

PJ614DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJ614DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: JLEAD
 

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PJ614DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  unikc
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PJ614DA

PJ614DADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 9AJ-LeadABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 10TA= 25 C9IDContinuous Drain Current2TA= 70 C7AIDM28Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:399K  niko-sem
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PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Otros transistores... PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , 4435 , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA .

History: IPD90N03S4L-02 | SI7904BDN | IPU80R750P7 | PSMN9R0-30LL | GKI07174 | APT60M80JVR | RSQ035N03FRA

 

 
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