PJ614DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJ614DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: JLEAD

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJ614DA

PJ614DA Datasheet (PDF)

..1. Size:494K unikc
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PJ614DADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 9AJ-LeadABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 10TA= 25 C9IDContinuous Drain Current2TA= 70 C7AIDM28Pulsed Drain Curren

..2. Size:399K niko-sem
pj614da.pdf

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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