PJ614DA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJ614DA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: JLEAD

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PJ614DA datasheet

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PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12.5m @VGS = 4.5V 20V 9A J-Lead ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 TA= 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TA= 70 C 7 A IDM 28 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:399K  niko-sem
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PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Otros transistores... PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, 5N65, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA