PJ614DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJ614DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: JLEAD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PJ614DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ614DA даташит

 ..1. Size:494K  unikc
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12.5m @VGS = 4.5V 20V 9A J-Lead ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 TA= 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TA= 70 C 7 A IDM 28 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:399K  niko-sem
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Другие IGBT... PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, 5N65, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA