PJ614DA - аналоги и даташиты транзистора

 

PJ614DA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJ614DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: JLEAD
 

 Аналог (замена) для PJ614DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ614DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  unikc
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 9AJ-LeadABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 10TA= 25 C9IDContinuous Drain Current2TA= 70 C7AIDM28Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:399K  niko-sem
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Другие MOSFET... PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , IRF4905 , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA .

History: IPW65R110CFD | FS16SM-10 | APQ9ESN20AB | STP15N80K5 | VBM1808 | P4004ED | VBM16R08

 

 
Back to Top

 


 
.