PJ614DA - аналоги и даташиты транзистора

 

PJ614DA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJ614DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: JLEAD

 Аналог (замена) для PJ614DA

 

PJ614DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  unikc
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12.5m @VGS = 4.5V 20V 9A J-Lead ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 TA= 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TA= 70 C 7 A IDM 28 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:399K  niko-sem
 pj614da.pdf pdf_icon

PJ614DA

PJ614DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 11.8m 10.5A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Другие MOSFET... PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , 5N65 , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA .

History: FQA19N60 | 2SK1279

 

 
Back to Top

 


 
.