P2E03BK Todos los transistores

 

P2E03BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2E03BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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P2E03BK Datasheet (PDF)

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P2E03BK

P2E03BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 2.5m @VGS = 10V 106APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C106IDContinuous Drain Current3TC = 100 C67IDM180Pulsed Drain Curre

Otros transistores... PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , AO4407 , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA , PD1303YVS .

History: 2SK2478 | MSK7804 | CS4N65A3HD | HY150N075T | DAMH160N200 | JCS7N65CB | BUK9M5R0-40H

 

 
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