P2E03BK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2E03BK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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P2E03BK datasheet

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P2E03BK

P2E03BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 2.5m @VGS = 10V 106A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 106 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 67 IDM 180 Pulsed Drain Curre

Otros transistores... PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, IRF530, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS