P2E03BK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2E03BK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2E03BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2E03BK даташит

 ..1. Size:440K  unikc
 p2e03bk.pdf pdf_icon

P2E03BK

P2E03BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 2.5m @VGS = 10V 106A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 106 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 67 IDM 180 Pulsed Drain Curre

Другие IGBT... PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, IRF530, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS