Справочник MOSFET. P2E03BK

 

P2E03BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2E03BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для P2E03BK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2E03BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  unikc
 p2e03bk.pdf pdf_icon

P2E03BK

P2E03BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 2.5m @VGS = 10V 106APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C106IDContinuous Drain Current3TC = 100 C67IDM180Pulsed Drain Curre

Другие MOSFET... PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , AO4407 , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA , PD1303YVS .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.