P2E03BK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P2E03BK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
P2E03BK Datasheet (PDF)
p2e03bk.pdf
P2E03BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 2.5m @VGS = 10V 106A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 106 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 67 IDM 180 Pulsed Drain Curre
Другие MOSFET... PF610BL , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , IRF530 , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA , PD1303YVS .
History: AUIRF7736M2TR | PI506BZ
History: AUIRF7736M2TR | PI506BZ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403


