P4006DV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P4006DV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P4006DV datasheet

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P4006DV

P4006DV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 40m @VGS = -10V -5.9A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -5.9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -4.7 A IDM -40 Pulsed Drain

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P4006DV

MP4006 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4006 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) I = 2 A (max) C (DC)

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P4006DV

MP4006 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Four Darlington Power Transistors in One) MP4006 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pins) High collector power dissipation (4-device operation) IC (DC) = 2 A (m

Otros transistores... PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, NCEP15T14, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS