P4006DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P4006DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P4006DV

P4006DV Datasheet (PDF)

..1. Size:369K unikc
p4006dv.pdf

P4006DVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-60V 40m @VGS = -10V -5.9ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -60VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-5.9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-4.7AIDM-40Pulsed Drain

9.1. Size:159K toshiba
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MP4006 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4006 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : I = 2 A (max) C (DC)

9.2. Size:217K toshiba
mp4006 .pdf

MP4006 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Four Darlington Power Transistors in One) MP4006 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 10 pins) High collector power dissipation (4-device operation) : IC (DC) = 2 A (m

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Liste

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