PD1303YVS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PD1303YVS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 131 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PD1303YVS

PD1303YVS Datasheet (PDF)

..1. Size:671K unikc
pd1303yvs.pdf

PD1303YVSDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel13m @VGS =10V30V 9A Q113m @VGS =10V30V 9A Q2SOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSQ1 30VDSDrain-Source VoltageQ2 30VQ1 20VGSGate-Source VoltageQ2 20Q1 9TA = 25 CQ2 9IDC

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: