PD1303YVS - аналоги и даташиты транзистора

 

PD1303YVS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PD1303YVS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PD1303YVS

 

PD1303YVS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  unikc
 pd1303yvs.pdf pdf_icon

PD1303YVS

PD1303YVS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 13m @VGS =10V 30V 9A Q1 13m @VGS =10V 30V 9A Q2 SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS Q1 30 VDS Drain-Source Voltage Q2 30 V Q1 20 VGS Gate-Source Voltage Q2 20 Q1 9 TA = 25 C Q2 9 ID C

Другие MOSFET... P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA , BS170 , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA , PM509BA .

History: CTLM8110-M832D

 

 
Back to Top

 


 
.