Справочник MOSFET. PD1303YVS

 

PD1303YVS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD1303YVS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PD1303YVS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD1303YVS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  unikc
 pd1303yvs.pdf pdf_icon

PD1303YVS

PD1303YVSDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel13m @VGS =10V30V 9A Q113m @VGS =10V30V 9A Q2SOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSQ1 30VDSDrain-Source VoltageQ2 30VQ1 20VGSGate-Source VoltageQ2 20Q1 9TA = 25 CQ2 9IDC

Другие MOSFET... P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , PD1203BEA , 18N50 , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA , PM509BA .

History: GSM3326WS | SPN1012 | FDMD8900 | CTD06N070 | AUIRFSL6535 | HAT1072H | BSC046N10NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.