PD1303YVS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD1303YVS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD1303YVS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD1303YVS даташит

 ..1. Size:671K  unikc
 pd1303yvs.pdf pdf_icon

PD1303YVS

PD1303YVS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 13m @VGS =10V 30V 9A Q1 13m @VGS =10V 30V 9A Q2 SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS Q1 30 VDS Drain-Source Voltage Q2 30 V Q1 20 VGS Gate-Source Voltage Q2 20 Q1 9 TA = 25 C Q2 9 ID C

Другие IGBT... P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, BS170, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA