PD1303YVS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PD1303YVS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 131 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP8
PD1303YVS Datasheet (PDF)
..1. Size:671K unikc
pd1303yvs.pdf
pd1303yvs.pdf
PD1303YVSDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel13m @VGS =10V30V 9A Q113m @VGS =10V30V 9A Q2SOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSQ1 30VDSDrain-Source VoltageQ2 30VQ1 20VGSGate-Source VoltageQ2 20Q1 9TA = 25 CQ2 9IDC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
