PM505BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM505BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM505BA
PM505BA Datasheet (PDF)
pm505ba.pdf
PM505BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -21 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9 PD Po
pm505ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM505BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -20V 40m -4A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C -4 Continuous Drain Cur
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Liste
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