PM505BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM505BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PM505BA datasheet

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PM505BA

PM505BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -21 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9 PD Po

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PM505BA

P-Channel Enhancement Mode PM505BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -20V 40m -4A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C -4 Continuous Drain Cur

Otros transistores... PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, 5N60, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA