PM505BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM505BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM505BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM505BA даташит

 ..1. Size:752K  unikc
 pm505ba.pdf pdf_icon

PM505BA

PM505BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -21 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9 PD Po

 ..2. Size:188K  niko-sem
 pm505ba.pdf pdf_icon

PM505BA

P-Channel Enhancement Mode PM505BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -20V 40m -4A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C -4 Continuous Drain Cur

Другие IGBT... PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, 5N60, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA