Справочник MOSFET. PM505BA

 

PM505BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM505BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM505BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM505BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  unikc
 pm505ba.pdf pdf_icon

PM505BA

PM505BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40m @VGS = -4.5V-20V -4ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-21Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.9PDPo

 ..2. Size:188K  niko-sem
 pm505ba.pdf pdf_icon

PM505BA

P-Channel Enhancement Mode PM505BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG. GATE -20V 40m -4A D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C -4 Continuous Drain Cur

Другие MOSFET... PD0903BVA , PD1203BEA , PD1303YVS , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , 13N50 , PM506BA , PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA .

History: 19N10G-TF3-T | AOD474B | AP6900GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.