PM506BA Todos los transistores

 

PM506BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM506BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PM506BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  unikc
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PM506BA

PM506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V30V 3.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.8IDM20Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.3PDW

 ..2. Size:421K  niko-sem
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PM506BA

N-Channel Enhancement Mode PM506BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY 1: GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2: DRAIN G3: SOURCE 30V 60m 3.5A SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 3.5 Continuous Drain C

Otros transistores... PD1203BEA , PD1303YVS , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , SKD502T , PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA .

History: CEU01N65 | RJK6024DPD | AP9971GM | 2SK4042 | AOWF160A60 | AP4407GP-HF | BUK952R3-40E

 

 
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