PM506BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM506BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PM506BA datasheet

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PM506BA

PM506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 30V 3.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 2.8 IDM 20 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.3 PD W

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PM506BA

N-Channel Enhancement Mode PM506BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY 1 GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 DRAIN G 3 SOURCE 30V 60m 3.5A S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 3.5 Continuous Drain C

Otros transistores... PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, RFP50N06, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA