PM506BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PM506BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM506BA

PM506BA Datasheet (PDF)

..1. Size:757K unikc
pm506ba.pdf

PM506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V30V 3.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.8IDM20Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.3PDW

..2. Size:421K niko-sem
pm506ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PM506BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY 1: GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2: DRAIN G3: SOURCE 30V 60m 3.5A SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 3.5 Continuous Drain C

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: