PM506BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM506BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM506BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM506BA даташит

 ..1. Size:757K  unikc
 pm506ba.pdf pdf_icon

PM506BA

PM506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 30V 3.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 2.8 IDM 20 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.3 PD W

 ..2. Size:421K  niko-sem
 pm506ba.pdf pdf_icon

PM506BA

N-Channel Enhancement Mode PM506BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY 1 GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 DRAIN G 3 SOURCE 30V 60m 3.5A S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 3.5 Continuous Drain C

Другие IGBT... PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, RFP50N06, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA