Справочник MOSFET. PM506BA

 

PM506BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PM506BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PM506BA

 

 

PM506BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  unikc
 pm506ba.pdf

PM506BA PM506BA

PM506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = 10V30V 3.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.8IDM20Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.3PDW

 ..2. Size:421K  niko-sem
 pm506ba.pdf

PM506BA PM506BA

N-Channel Enhancement Mode PM506BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY 1: GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2: DRAIN G3: SOURCE 30V 60m 3.5A SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 3.5 Continuous Drain C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top