PM509BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM509BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PM509BA datasheet

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PM509BA

PM509BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V -30V -2A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.5 IDM -8 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.7 PD P

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PM509BA

P-Channel Enhancement Mode PM509BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -30V 120m -2A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Otros transistores... PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, SI2302, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ