PM509BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PM509BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PM509BA Datasheet (PDF)
..1. Size:756K unikc
pm509ba.pdf
pm509ba.pdf
PM509BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID120m @VGS = 10V-30V -2ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-1.5IDM-8Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.7PDP
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
