PM509BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM509BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM509BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM509BA даташит

 ..1. Size:756K  unikc
 pm509ba.pdf pdf_icon

PM509BA

PM509BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V -30V -2A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.5 IDM -8 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.7 PD P

 ..2. Size:211K  niko-sem
 pm509ba.pdf pdf_icon

PM509BA

P-Channel Enhancement Mode PM509BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -30V 120m -2A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие IGBT... PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, SI2302, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ