PM509BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PM509BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PM509BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PM509BA

 

PM509BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  unikc
 pm509ba.pdf pdf_icon

PM509BA

PM509BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V -30V -2A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.5 IDM -8 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.7 PD P

 ..2. Size:211K  niko-sem
 pm509ba.pdf pdf_icon

PM509BA

P-Channel Enhancement Mode PM509BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE -30V 120m -2A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... PD1303YVS , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA , SI2302 , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ .

History: PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.