PM523BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM523BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM523BA
PM523BA Datasheet (PDF)
pm523ba.pdf
PM523BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID80m @VGS = -10V-30V -2.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2IDM-10Pulsed Drain
pm523ba.pdf
PM523BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1: GATE G2: DRAIN -30V 80m -2.5A 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T
ppm523t201e0.pdf
PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 VGa
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History: SFW107N200C3 | FCPF190N65S3L1 | HM9926B
History: SFW107N200C3 | FCPF190N65S3L1 | HM9926B
Liste
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