PM523BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PM523BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PM523BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PM523BA даташит
pm523ba.pdf
PM523BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 80m @VGS = -10V -30V -2.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2 IDM -10 Pulsed Drain
pm523ba.pdf
PM523BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 GATE G 2 DRAIN -30V 80m -2.5A 3 SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T
ppm523t201e0.pdf
PPM523T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) 0.6@ VGS=-4.5V G 1 -20 0.9@ VGS=-2.5V 300 1.5@ VGS=-1.8V S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -20 V Ga
Другие IGBT... P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, IRF2807, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG
History: PSMN2R0-40YLD | PMV28ENEA | PM516BZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g



