PM557BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PM557BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM557BA

PM557BA Datasheet (PDF)

..1. Size:768K unikc
pm557ba.pdf

PM557BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = -4.5V-30V -3.3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-3.3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.6IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.9

..2. Size:217K niko-sem
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P-Channel Enhancement Mode PM557BANIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 48m -3.3A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: