PM557BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM557BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM557BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM557BA даташит

 ..1. Size:768K  unikc
 pm557ba.pdf pdf_icon

PM557BA

PM557BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 50m @VGS = -4.5V -30V -3.3A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -3.3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.6 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.9

 ..2. Size:217K  niko-sem
 pm557ba.pdf pdf_icon

PM557BA

P-Channel Enhancement Mode PM557BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 48m -3.3A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие IGBT... PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, IRFZ24N, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG