PM557BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM557BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PM557BA
PM557BA Datasheet (PDF)
pm557ba.pdf

PM557BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = -4.5V-30V -3.3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-3.3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.6IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.9
pm557ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PM557BANIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 48m -3.3A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application
Другие MOSFET... PM506BA , PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , 8N60 , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG .
History: DAC040N120Z5 | FQI9N50TU | MPSA60M600 | FQB8N25TM | MTN5N50J3
History: DAC040N120Z5 | FQI9N50TU | MPSA60M600 | FQB8N25TM | MTN5N50J3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m