PM560BZ Todos los transistores

 

PM560BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM560BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PM560BZ Datasheet (PDF)

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PM560BZ

PM560BZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 88m @VGS = 10V 60V 3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 1.9 A IDM 12 Pulsed Drain Current1 T

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