PM560BZ Todos los transistores

 

PM560BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM560BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PM560BZ Datasheet (PDF)

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PM560BZ

PM560BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID88m @VGS = 10V60V 3ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C1.9 AIDM12Pulsed Drain Current1T

Otros transistores... PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , IRF830 , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG .

History: SIA810DJ | IAUC90N10S5N062 | NCEP60T18A | IPB06CN10NG | NCEP50P80 | VS5814DS

 

 
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