PM560BZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM560BZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PM560BZ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PM560BZ datasheet

 ..1. Size:735K  unikc
 pm560bz.pdf pdf_icon

PM560BZ

PM560BZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 88m @VGS = 10V 60V 3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 1.9 A IDM 12 Pulsed Drain Current1 T

Otros transistores... PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, 2N60, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG