PM560BZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM560BZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PM560BZ
PM560BZ Datasheet (PDF)
pm560bz.pdf

PM560BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID88m @VGS = 10V60V 3ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C1.9 AIDM12Pulsed Drain Current1T
Другие MOSFET... PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , 7N60 , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG .
History: 12N10G-TM3-T | HFS8N65U | FS50KM-06 | FQP5P20
History: 12N10G-TM3-T | HFS8N65U | FS50KM-06 | FQP5P20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213