Справочник MOSFET. PM560BZ

 

PM560BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM560BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM560BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM560BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  unikc
 pm560bz.pdf pdf_icon

PM560BZ

PM560BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID88m @VGS = 10V60V 3ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C1.9 AIDM12Pulsed Drain Current1T

Другие MOSFET... PM509BA , PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , IRF830 , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG .

History: SQ1420EEH | RJK0406JPE | BLP065N08G-P | 2SK2100-01MR | PDC2306Z | IAUC90N10S5N062 | 2N65KG-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.