PM560BZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM560BZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM560BZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM560BZ даташит

 ..1. Size:735K  unikc
 pm560bz.pdf pdf_icon

PM560BZ

PM560BZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 88m @VGS = 10V 60V 3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 1.9 A IDM 12 Pulsed Drain Current1 T

Другие IGBT... PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, 2N60, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG