PM561BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM561BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PM561BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PM561BA datasheet

 ..1. Size:756K  unikc
 pm561ba.pdf pdf_icon

PM561BA

PM561BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 51m @VGS = -10V -30V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4 PD W

 ..2. Size:339K  niko-sem
 pm561ba.pdf pdf_icon

PM561BA

P-Channel Enhancement Mode PM561BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 51m -4A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applicatio

Otros transistores... PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, 8N60, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG