PM561BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM561BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PM561BA Datasheet (PDF)
pm561ba.pdf
PM561BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 51m @VGS = -10V -30V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4 PD W
pm561ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM561BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 51m -4A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applicatio
Другие MOSFET... PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , 8N60 , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor



