PM561BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM561BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PM561BA
PM561BA Datasheet (PDF)
pm561ba.pdf

PM561BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -4ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.4PDW
pm561ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PM561BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 51m -4A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applicatio
Другие MOSFET... PM513BA , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , IRFB31N20D , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG .
History: AM3932NE | OSG70R2K6DF | SFF130 | STB16NM50N | OSG70R1K4PF | TPU70R950C | QM2415SM8
History: AM3932NE | OSG70R2K6DF | SFF130 | STB16NM50N | OSG70R1K4PF | TPU70R950C | QM2415SM8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor