PM561BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM561BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM561BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM561BA даташит

 ..1. Size:756K  unikc
 pm561ba.pdf pdf_icon

PM561BA

PM561BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 51m @VGS = -10V -30V -4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4 PD W

 ..2. Size:339K  niko-sem
 pm561ba.pdf pdf_icon

PM561BA

P-Channel Enhancement Mode PM561BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 51m -4A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applicatio

Другие IGBT... PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, 8N60, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG