PM597BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM597BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PM597BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PM597BA datasheet

 ..1. Size:764K  unikc
 pm597ba.pdf pdf_icon

PM597BA

PM597BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 43m @VGS = -4.5V -20V -4.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3.6 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4

 ..2. Size:245K  niko-sem
 pm597ba.pdf pdf_icon

PM597BA

P-Channel Enhancement Mode PM597BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Otros transistores... PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, P60NF06, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG, P2504EDG