PM597BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PM597BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM597BA

PM597BA Datasheet (PDF)

..1. Size:764K unikc
pm597ba.pdf

PM597BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID43m @VGS = -4.5V-20V -4.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-4.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3.6IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.4

..2. Size:245K niko-sem
pm597ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PM597BANIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

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History: AO5404E

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