PM597BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM597BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM597BA
PM597BA Datasheet (PDF)
pm597ba.pdf
PM597BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 43m @VGS = -4.5V -20V -4.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3.6 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4
pm597ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM597BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application
Otros transistores... PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , P60NF06 , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG .
Liste
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