PM597BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM597BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de PM597BA MOSFET
PM597BA Datasheet (PDF)
pm597ba.pdf
PM597BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID43m @VGS = -4.5V-20V -4.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-4.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3.6IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.4
pm597ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM597BANIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application
Otros transistores... PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , AO3401 , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG .
History: SIHFZ14L
History: SIHFZ14L
Liste
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