PM597BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PM597BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PM597BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PM597BA даташит
pm597ba.pdf
PM597BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 43m @VGS = -4.5V -20V -4.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3.6 IDM -16 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.4
pm597ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM597BA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application
Другие IGBT... PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, P60NF06, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG, P2504EDG
History: PK696BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897


