PM597BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PM597BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.7 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PM597BA Datasheet (PDF)
pm597ba.pdf
PM597BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID43m @VGS = -4.5V-20V -4.5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-4.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3.6IDM-16Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.4
pm597ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM597BANIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 30m -5.3A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
