PM600BZ Todos los transistores

 

PM600BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM600BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PM600BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  unikc
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PM600BZ

PM600BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID13.5m @VGS = 10V30V 6ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4.8 AIDM18Pulsed Drain Current1

Otros transistores... PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , IRF520 , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG , P2504EI .

History: TMU2N60AZ | R6507ENJ | IRF1018ESLPBF | R5013ANX | STB11NM60 | FTK4828 | IRF1018ESPBF

 

 
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