PM600BZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM600BZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM600BZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM600BZ даташит

 ..1. Size:500K  unikc
 pm600bz.pdf pdf_icon

PM600BZ

PM600BZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 13.5m @VGS = 10V 30V 6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4.8 A IDM 18 Pulsed Drain Current1

Другие IGBT... PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, 75N75, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, P2503HVG, P2503NVG, P2504BDG, P2504EDG, P2504EI