PM600BZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM600BZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PM600BZ
PM600BZ Datasheet (PDF)
pm600bz.pdf

PM600BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID13.5m @VGS = 10V30V 6ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4.8 AIDM18Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , IRF520 , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , P2503HVG , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG , P2504EI .
History: P4404EI
History: P4404EI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D | MD50N50 | MD40N50 | FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818