P2504EDG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2504EDG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0258 Ohm

Encapsulados: TO252

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P2504EDG datasheet

 ..1. Size:493K  unikc
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P2504EDG

P2504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25.8m @VGS = -10V -40V -18A TO-252 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -18 ID Continuous Drain Current TC = 100 A

 8.1. Size:499K  unikc
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P2504EDG

P2504EI P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25.8m @VGS = -10V -40V -30A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -30 ID Continuous Drain Current TC = 70 A C -24 IDM -65 Pu

 9.1. Size:245K  diodes
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P2504EDG

ZXTP25040DFH 40V SOT23 PNP medium power transistor Summary BVCEO > -40V BVECO > -3V ; IC(CONT) = -3A RCE(sat) = 55 m ; VCE(sat)

 9.2. Size:178K  diodes
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P2504EDG

A Product Line of A Product Line of Diodes Incorporated Diodes Incorporated ZXTP25040DFL 40V PNP LOW POWER TRANSISTOR IN SOT23 TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > -40V Case SOT23 BVECO > --3V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound IC = -1.5A Continuous Collec

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