P5503QV Todos los transistores

 

P5503QV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P5503QV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P5503QV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  unikc
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P5503QV

P5503QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel22m @VGS =10V30V 7.5A N60m @VGS = -10V-30V -4.5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7.5TA = 25 CP -4.5ID

Otros transistores... P2806HV , P5102FM , P5102FM6 , P5102FMA , P5102FMNV , P5103EAG , P5103EMA , P5103EMG , 20N60 , P5504EDG , P5504EVG , P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG .

History: RSD131P10FRA | GSM2367AS | AON7240

 

 
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