Справочник MOSFET. P5503QV

 

P5503QV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5503QV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P5503QV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5503QV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  unikc
 p5503qv.pdf pdf_icon

P5503QV

P5503QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel22m @VGS =10V30V 7.5A N60m @VGS = -10V-30V -4.5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7.5TA = 25 CP -4.5ID

Другие MOSFET... P2806HV , P5102FM , P5102FM6 , P5102FMA , P5102FMNV , P5103EAG , P5103EMA , P5103EMG , 20N60 , P5504EDG , P5504EVG , P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG .

History: OSG60R070HT3F | IXFH15N100Q3 | CJ2324 | AFN2330A | CEB13N5 | IXFN64N50P | 25N06G

 

 
Back to Top

 


 
.