P5503QV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P5503QV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P5503QV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5503QV даташит

 ..1. Size:866K  unikc
 p5503qv.pdf pdf_icon

P5503QV

P5503QV N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 22m @VGS =10V 30V 7.5A N 60m @VGS = -10V -30V -4.5A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7.5 TA = 25 C P -4.5 ID

Другие IGBT... P2806HV, P5102FM, P5102FM6, P5102FMA, P5102FMNV, P5103EAG, P5103EMA, P5103EMG, 20N60, P5504EDG, P5504EVG, P5506BDG, P5506BVG, P5506HVG, P5506NVG, P2803BMG, P2803HVG