Справочник MOSFET. P5503QV

 

P5503QV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P5503QV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 146 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P5503QV

 

 

P5503QV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  unikc
 p5503qv.pdf

P5503QV P5503QV

P5503QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel22m @VGS =10V30V 7.5A N60m @VGS = -10V-30V -4.5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7.5TA = 25 CP -4.5ID

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top