P5803NAG Todos los transistores

 

P5803NAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P5803NAG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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P5803NAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  unikc
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P5803NAG

P5803NAGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel58m @VGS = 10V30V 3A N115m @VGS = -10V-30V -2A PTSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 3TA = 25 CP -2IDCo

 ..2. Size:923K  cn vbsemi
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P5803NAG

P5803NAGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V

Otros transistores... P2803HVG , P2803NVG , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , IRFB4110 , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA .

History: NTMFS23D9N06HLT1G | 2SJ245L | SPN10T10 | NCEP40T13AGU | CSD17577Q3A | SLD5N65S | CEU01N6G

 

 
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