P5803NAG - аналоги и даташиты транзистора

 

P5803NAG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P5803NAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для P5803NAG

 

P5803NAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  unikc
 p5803nag.pdf pdf_icon

P5803NAG

P5803NAG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 58m @VGS = 10V 30V 3A N 115m @VGS = -10V -30V -2A P TSOP- 06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 3 TA = 25 C P -2 ID Co

 ..2. Size:923K  cn vbsemi
 p5803nag.pdf pdf_icon

P5803NAG

P5803NAG www.VBsemi.tw N- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET 0 FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested 0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 20 0.083 at V

Другие MOSFET... P2803HVG , P2803NVG , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , AON6414A , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA .

History: P2504EI | CJU10N10 | CTLDM304P-M832DS | DE275-101N30A

 

 
Back to Top

 


 
.