Справочник MOSFET. P5803NAG

 

P5803NAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5803NAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для P5803NAG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5803NAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  unikc
 p5803nag.pdf pdf_icon

P5803NAG

P5803NAGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel58m @VGS = 10V30V 3A N115m @VGS = -10V-30V -2A PTSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 3TA = 25 CP -2IDCo

 ..2. Size:923K  cn vbsemi
 p5803nag.pdf pdf_icon

P5803NAG

P5803NAGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V

Другие MOSFET... P2803HVG , P2803NVG , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , IRFB4110 , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA .

History: IXFH22N65X2 | MTP2N90 | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | HGI090NE6A | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.