PB521BX Todos los transistores

 

PB521BX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB521BX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN2X2S
     - Selección de transistores por parámetros

 

PB521BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
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PB521BX

PB521BXP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID21m @VGS = -4.5V-20V -7.4APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.4 AIDM29Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
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PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BXNIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeD PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 10 VTA =

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSM9987GM | FDB6690S | 2SK2907-01 | SIHP22N65E | RJK0629DPK | RUH1H130S | WMQ46N03T1

 

 
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