PB521BX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PB521BX  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: PDFN2X2S

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PB521BX datasheet

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PB521BX

PB521BX P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 21m @VGS = -4.5V -20V -7.4A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.4 A IDM 29 Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
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PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BX NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8A G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Otros transistores... P2904BD, P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, 2N7000, PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA