Справочник MOSFET. PB521BX

 

PB521BX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PB521BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S

 Аналог (замена) для PB521BX

 

 

PB521BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
 pb521bx.pdf

PB521BX PB521BX

PB521BXP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID21m @VGS = -4.5V-20V -7.4APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.4 AIDM29Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
 pb521bx.pdf

PB521BX PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BXNIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeD PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 10 VTA =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top