PB521BX - аналоги и даташиты транзистора

 

PB521BX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB521BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S

 Аналог (замена) для PB521BX

 

PB521BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

PB521BX P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 21m @VGS = -4.5V -20V -7.4A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.4 A IDM 29 Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BX NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8A G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Другие MOSFET... P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , 2N7000 , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA .

History: CJU10N10

 

 
Back to Top

 


 
.