Справочник MOSFET. PB521BX

 

PB521BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB521BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB521BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB521BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

PB521BXP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID21m @VGS = -4.5V-20V -7.4APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.4 AIDM29Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BXNIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeD PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 10 VTA =

Другие MOSFET... P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , IRF9540 , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.