Справочник MOSFET. PB521BX

 

PB521BX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB521BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PB521BX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

PB521BXP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID21m @VGS = -4.5V-20V -7.4APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.4 AIDM29Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BXNIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeD PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8AGG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Voltage VGS 10 VTA =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CHM310GP | AUIRF540ZS | 2SK417 | AP9430GH-HF | PK696BA | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.