PB521BX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB521BX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB521BX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB521BX даташит

 ..1. Size:437K  unikc
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

PB521BX P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 21m @VGS = -4.5V -20V -7.4A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.4 A IDM 29 Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:213K  niko-sem
 pb521bx.pdf pdf_icon

PB521BX

P-Channel Enhancement Mode PB521BX NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 21m -8A G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 10 V TA =

Другие IGBT... P2904BD, P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, 2N7000, PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA