PV501BA Todos los transistores

 

PV501BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV501BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 426 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PV501BA datasheet

 ..1. Size:788K  unikc
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PV501BA

PV501BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -30V -12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9.6 A IDM -50 Pulsed Drain

 ..2. Size:260K  niko-sem
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PV501BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV501BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m -12A -30V D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , P55NF06 , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA .

 

 

 


 
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