PV501BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV501BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV501BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV501BA даташит

 ..1. Size:788K  unikc
 pv501ba.pdf pdf_icon

PV501BA

PV501BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -30V -12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9.6 A IDM -50 Pulsed Drain

 ..2. Size:260K  niko-sem
 pv501ba.pdf pdf_icon

PV501BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV501BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m -12A -30V D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, PB521BX, AO3400, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA