Справочник MOSFET. PV501BA

 

PV501BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PV501BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 426 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для PV501BA

 

 

PV501BA Datasheet (PDF)

1.1. pv501ba.pdf Size:788K _unikc

PV501BA PV501BA

PV501BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5mΩ @VGS = -10V -30V -12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage ±25 TA = 25 ° C -12 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C -9.6 A IDM -50 Pulsed Drain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top