PV501BA - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PV501BA. Основные параметры


   Наименование производителя: PV501BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV501BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV501BA даташит

 ..1. Size:788K  unikc
 pv501ba.pdf pdf_icon

PV501BA

PV501BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -30V -12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9.6 A IDM -50 Pulsed Drain

 ..2. Size:260K  niko-sem
 pv501ba.pdf pdf_icon

PV501BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV501BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m -12A -30V D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , P55NF06 , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA .

 

 
Back to Top

 


 
.