PV507BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PV507BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PV507BA datasheet

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PV507BA

PV507BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V -13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -10 A IDM -50 Pulsed Drain C

 ..2. Size:212K  niko-sem
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PV507BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV507BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m -13A -30V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V

Otros transistores... P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, PB521BX, PV501BA, 8205A, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA