PV507BA Todos los transistores

 

PV507BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV507BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PV507BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PV507BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

PV507BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = -10V -30V -13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-10AIDM-50Pulsed Drain C

 ..2. Size:212K  niko-sem
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV507BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m -13A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V

Otros transistores... P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , 2SK3878 , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA .

History: KRF9640S | QM3007S

 

 
Back to Top

 


 
.