PV507BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV507BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV507BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV507BA даташит

 ..1. Size:496K  unikc
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

PV507BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V -13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -10 A IDM -50 Pulsed Drain C

 ..2. Size:212K  niko-sem
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV507BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m -13A -30V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V

Другие IGBT... P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, PB521BX, PV501BA, 8205A, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA