Справочник MOSFET. PV507BA

 

PV507BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV507BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV507BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV507BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

PV507BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = -10V -30V -13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-10AIDM-50Pulsed Drain C

 ..2. Size:212K  niko-sem
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV507BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m -13A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.