PV507BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PV507BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PV507BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PV507BA

 

PV507BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  unikc
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

PV507BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V -13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -10 A IDM -50 Pulsed Drain C

 ..2. Size:212K  niko-sem
 pv507ba.pdf pdf_icon

PV507BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV507BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m -13A -30V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V

Другие MOSFET... P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , 8205A , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA .

History: PA610DD

 

 
Back to Top

 


 
.