PV516DA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PV516DA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PV516DA datasheet

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PV516DA

PV516DA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 35m @VGS = 4.5V 20V 5.4A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 5.4 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 4.3 A IDM 15 Pulsed Drain Curr

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