PV516DA Todos los transistores

 

PV516DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV516DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PV516DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  unikc
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PV516DA

PV516DADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = 4.5V20V 5.4ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C5.4IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C4.3AIDM15Pulsed Drain Curr

Otros transistores... P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , STP75NF75 , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA .

History: 14N50L-TF1-T | 12P10G-TM3-T | 1N60G-TM3-T | 1N60G-TND-R | 17P10G-TF3-T | 1N60L-TF2-T

 

 
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