Справочник MOSFET. PV516DA

 

PV516DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV516DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV516DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV516DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  unikc
 pv516da.pdf pdf_icon

PV516DA

PV516DADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID35m @VGS = 4.5V20V 5.4ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C5.4IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C4.3AIDM15Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , AON7408 , PV537BA , PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA .

History: PSMN5R2-60YL | IRH7230 | 6N65KL-TN3-R | STP34NM60ND | SQ4483EEY | HTS200N03 | LNH045R210

 

 
Back to Top

 


 
.