PV516DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV516DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV516DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV516DA даташит

 ..1. Size:464K  unikc
 pv516da.pdf pdf_icon

PV516DA

PV516DA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 35m @VGS = 4.5V 20V 5.4A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 5.4 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 4.3 A IDM 15 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG, PB521BX, PV501BA, PV507BA, PV510BA, IRFP250N, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA