PV548BA Todos los transistores

 

PV548BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV548BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PV548BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PV548BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  unikc
 pv548ba.pdf pdf_icon

PV548BA

PV548BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.6m @VGS = 10V30V 14ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C14IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C11AIDM150Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:417K  niko-sem
 pv548ba.pdf pdf_icon

PV548BA

PV548BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 5.6m 14A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Otros transistores... P5803NAG , P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , AO3400 , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA .

History: 1N65L-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.