PV548BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV548BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV548BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV548BA даташит

 ..1. Size:461K  unikc
 pv548ba.pdf pdf_icon

PV548BA

PV548BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.6m @VGS = 10V 30V 14A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 14 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 11 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:417K  niko-sem
 pv548ba.pdf pdf_icon

PV548BA

PV548BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 5.6m 14A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие IGBT... P5803NAG, P5806NVG, PB521BX, PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, IRF9540, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA