PV551BA Todos los transistores

 

PV551BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV551BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PV551BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  unikc
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PV551BA

PV551BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-7AIDM-40Pulsed Drain Curr

 ..2. Size:360K  niko-sem
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PV551BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV551BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -9A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VG

Otros transistores... P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , 2N7000 , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG .

History: IRFIBC30GPBF | APT50M50L2FLLG | MRF177M

 

 
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